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相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）超音波振動子およびその形成方法
- 专利权人:
- バタフライ ネットワーク，インコーポレイテッド
- 发明人:
- ロスバーグ，ジョナサン，エム．,ファイフ，キース，ジー．,ラルストン，タイラー，エス．,ハルヴァート，グレゴリー，エル．,サンチェス，ネバダ，ジェイ．
- 申请号：
- JP20170203056
- 公开号：
- JP2018023165(A)
- 申请日:
- 2017.10.20
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】 労力と時間をより少なくすることによってデバイスの製作を容易にすること。【解決手段】 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）超音波振動子（ＣＵＴ）とＣＵＴを形成するための方法が記載される。ＣＵＴはモノリシックに統合された超音波振動子および振動子に関連して動作するための集積回路を含んでよい。ＣＵＴは、超音波撮像デバイスおよび／または高強度焦点式超音波（ＨＩＦＵ）デバイスなどの超音波デバイスで使用されてよい。【選択図】 図２６
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
