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金属るつぼ内に含まれる金属からベータ相の酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法
- 专利权人:
- フォルシュングスフェアブント・ベルリン・アインゲトラーゲナー・フェライン
- 发明人:
- ガウォンスカ，ズビグネフ,ユッカー，ラインハルト,クリム，デートレフ,ビッカーマン，マティアス
- 申请号：
- JP20170535901
- 公开号：
- JP2018501184(A)
- 申请日:
- 2015.12.16
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 断熱材に囲まれ、加熱装置により加熱された金属るつぼ内に含まれる溶融物からベータ相の酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法。成長炉に供給される成長雰囲気は、酸素濃度が、Ｇａ２Ｏ３の融解温度（ＭＴ）未満もしくは融解温度（ＭＴ）で、またはＧａ２Ｏ３出発材料の完全溶融後に５〜１００体積％の濃度範囲（ＳＣ）にある成長酸素濃度値（Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ２’’）に達するように可変の酸素濃度または分圧を有し、それが、金属ガリウム量の生成とそれによる金属るつぼとの共晶形成を最小にするように適合している。成長温度（ＧＴ）の溶融物からのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶の結晶成長ステップの間に、成長酸素濃度値（Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ２’’）は、上記酸素濃度範囲（ＳＣ）内に維持される。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
