酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素膜、それらの形成方法、並びに化学気相成長用組成物

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专利权人:

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

发明人:

ハーレッシュ スリダンダム,マンチャオ シャオ,シンジャン レイ,トーマス リチャード ガフネイ

申请号：

JP20150023549

公开号：

JP6058043(B2)

申请日:

2015.02.09

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

A silicon oxide layer is deposited on a substrate by chemical vapor deposition (CVD) by reacting an organoaminosilane precursor, selected from specified categories, with an oxidizing agent under conditions for the formation of a silicon oxide film. Diisopropylaminosilane is the preferred organoaminosilane precursor for the formation of the silicon oxide film.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/