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ガス配管システム、化学気相成長装置、成膜方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
- 专利权人:
- 昭和電工株式会社
- 发明人:
- 石橋 直人,深田 啓介,歌代 智也,坂東 章
- 申请号：
- JP20160135282
- 公开号：
- JP2018006682(A)
- 申请日:
- 2016.07.07
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】配管の閉塞が抑制されたガス配管システムを提供する。【解決手段】このガス配管システムは、内部で気相成長を行う反応炉に複数のガスを供給するランベント方式のガス配管システムであって、前記複数のガスをそれぞれ送通する複数の供給ラインと、前記反応炉の排気口から排気ポンプへ繋がる排気ラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記反応炉に前記複数のガスを供給するランラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記排気ラインに接続される複数のベントラインと、前記複数の供給ラインの分岐点にそれぞれ設けられ、ランライン側にガスを流すかベントライン側にガスを流すかを切り替える複数のバルブと、を備え、前記複数のベントラインは前記排気ラインに至るまで分離され、前記排気ラインの内
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
