您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
蛍光ＳｉＣ材料の気相成長装置及び蛍光ＳｉＣ材料の気相成長方法
- 专利权人:
- エルシード株式会社
- 发明人:
- 難波江 宏一,北野 司,藤元 直樹,近藤 俊行,前田 智彦,董 林,ヨハン エクマン
- 申请号：
- JP20150157781
- 公开号：
- JP2017037944(A)
- 申请日:
- 2015.08.07
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】蛍光ＳｉＣ中のドナー不純物の濃度とアクセプタ不純物の濃度の差を的確に制御することのできる蛍光ＳｉＣ材料の気相成長装置及び蛍光ＳｉＣ材料の気相成長方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ及びＣが容器内で結晶原料固体を昇華することにより提供され、蛍光ＳｉＣ材料の気相成長時に、ドナー不純物とアクセプタ不純物の少なくとも一方が不純物原料気体を容器内へ導入することで提供される蛍光ＳｉＣ材料の気相成長方法であって、蛍光ＳｉＣ材料の成長時に、容器内にて検出された不純物原料気体の検出気体分圧と、成長後の蛍光ＳｉＣ材料におけるドナー不純物及びアクセプタ不純物の濃度の差が所定の目標値となる不純物原料気体の目標分圧と、に基づいて、容器内における不純物原料気体の分圧を目標分圧に近づくよう連続的に調
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
