ＳｉＣ材料およびそれを用いた半導体製造装置用部材
- 专利权人:
- 京セラ株式会社
- 发明人:
- 王 雨叢,藤江 和之,平野 義宜,小畑 正明
- 申请号：
- JP20160166973
- 公开号：
- JP2018035009(A)
- 申请日:
- 2016.08.29
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】安定した抵抗率を有するＳｉＣ材料およびそれを用いた半導体製造装置用部材の提供。【解決手段】窒素原子を含有し、３Ｃ型結晶構造を有する炭化珪素結晶２を主体としており、含有される窒素原子の濃度をＮ（個／ｃｍ３）とし、体積抵抗率をＲ（Ω・ｃｍ）とし、Ｎの対数をｘ軸、Ｒの対数をｙ軸としたとき、１次関数ｙ＝ａ・ｘ＋ｂであらわされる２つの直線である直線Ｆ１（ａ＝−１．０４、ｂ＝２０）と、直線Ｆ２（ａ＝−１．１０、ｂ＝２４）との間の領域に、ｘおよびｙが存在する。【選択図】 図３
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
