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金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス
专利权人:
富士フイルム株式会社
发明人:
高田 真宏
申请号:
JP20160529260
公开号:
JPWO2015198857(A1)
申请日:
2015.06.09
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
溶媒及び金属成分として少なくともインジウムを含む溶液を基板上に塗布して金属酸化物前駆体膜を形成する金属酸化物前駆体膜形成工程と、金属酸化物前駆体膜を加熱した状態で、金属酸化物前駆体膜に対し、波長200nm超300nm以下の照度が80mW/cm2以上であること、及び、波長150nm以上200nm以下の照度が6.5mW/cm2以上であることの少なくとも一方を満たす条件で紫外線を照射することにより金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化させる転化工程と、を有する金属酸化物膜の製造方法及びその応用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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