金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び電子デバイス
- 专利权人:
- 富士フイルム株式会社
- 发明人:
- 望月 文彦,高田 真宏
- 申请号：
- JP20160523545
- 公开号：
- JPWO2015182679(A1)
- 申请日:
- 2015.05.27
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 金属硝酸塩及び溶媒を含む溶液を、加熱した状態の基板上にインクジェット法により付与して塗布膜を形成する塗布工程と、塗布膜に対し、酸素濃度が８００００ｐｐｍ以下の雰囲気下で紫外線照射を行うことにより金属酸化物膜に転化させる転化工程と、を含む金属酸化物膜の製造方法及びその応用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
