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成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置
- 专利权人:
- キヤノンアネルバ株式会社
- 发明人:
- 醍醐 佳明,清野 拓哉,大塚 喜隆,牧田 裕之,石橋 奏太朗,山中 和人
- 申请号：
- JP20160537730
- 公开号：
- JPWO2016017078(A1)
- 申请日:
- 2015.07.09
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、＋ｃ極性のエピタキシャル膜をスパッタリング法により作製できる成膜方法、成膜装置を提供する。本発明の一実施形態は、ヒーターで所定温度に加熱されたエピタキシャル成長用基板に対してスパッタリング法によってウルツ鉱構造を有する半導体膜をエピタキシャル成長させる成膜方法において以下の工程を有する。まずは、上記基板がヒーターと所定の距離だけ離れて配置されるように、上記基板を、ヒーターを有する基板保持部に配置する。次いで、上記基板保持部のインピーダンスを調整しながら、上記基板上にウルツ鉱構造を有する半導体膜のエピタキシャル膜を形成する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
