成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
- 专利权人:
- キヤノンアネルバ株式会社
- 发明人:
- 醍醐 佳明
- 申请号：
- JP20150505257
- 公开号：
- JPWO2014141601(A1)
- 申请日:
- 2014.02.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、極めて結晶性に優れた下地層を２μｍ程度の薄い膜厚により実現することによって、高い生産性を有する成膜技術を提供することを目的とする。本発明の一実施形態は、基板ホルダーに保持されたサファイア基板上にスパッタリング法によってバッファー層を形成する工程を有する成膜方法に関し、バッファー層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０≦ｘ≦１）に、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｒの群から選ばれた少なくとも一つの物質が添加されたウルツ鉱構造を有するエピタキシャル膜を備える。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
