ＺｎＯ系半導体構造の製造方法
- 专利权人:
- スタンレー電気株式会社
- 发明人:
- 佐野 道宏,佐藤 有香
- 申请号：
- JP20150144585
- 公开号：
- JP2017028077(A)
- 申请日:
- 2015.07.22
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】より高いアクセプタ密度を実現する。【解決手段】ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎからなる群より選択された少なくとも1種の３Ｂ族元素、およびＡｇをドープしたＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、（ｂ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、ＺｎＯ系半導体層表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながらアニールし、３Ｂ族元素とＡｇがドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、を含む。【選択図】 図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
