ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法
- 专利权人:
- スタンレー電気株式会社
- 发明人:
- 佐野 道宏,佐藤 有香
- 申请号：
- JP20150202153
- 公开号：
- JP2017076657(A)
- 申请日:
- 2015.10.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】高品質のｐ型ＺｎＯ系半導体層を実現する。【解決手段】ＺｎＯ系半導体構造の製造方法は、（ａ）活性酸素層と、少なくとも1種の３Ｂ族元素をドープしたＺｎＯ系半導体層とを交互に、少なくとも２周期、積層したサブ積層を形成する工程と、（ｂ）前記サブ積層とＡｇＯ層とを、活性酸素層を挟んで、交互に積層し、積層構造を形成する工程と、（ｃ）活性酸素が存在する、圧力が１０−２Ｐａ未満の環境で、前記積層構造表面に酸素ラジカルビームを断続的に照射しながらアニールし、前記３Ｂ族元素とＡｇとが共ドープされたｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成する工程と、を含む。【選択図】 図８
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
