ＥｕドープＺｎＯ高効率蛍光体膜およびその形成方法
- 专利权人:
- 日本電信電話株式会社
- 发明人:
- 赤澤 方省
- 申请号：
- JP20160157913
- 公开号：
- JP2018024779(A)
- 申请日:
- 2016.08.10
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】EuドープZnOを使用した蛍光体膜は、基板の電気伝導性の影響を受けやすく、EuドープZnOを使用した高効率の蛍光体膜の実現は困難であった。【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板上のSiO2膜と、前記SiO2膜上のc軸配向した結晶性を保つEuドープZnO膜とからなるEuドープZnO蛍光体膜を、H2O蒸気ガスを反応ガスとして、SiO2膜上へスパッタ法によりEuドープZnO蛍光体膜を成膜することによって形成し、高効率のEuドープZnO蛍光体膜を実現した。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
