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炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素種基板、炭化珪素基板、半導体装置および半導体装置の製造方法
专利权人:
住友電気工業株式会社
发明人:
佐々木 信
申请号:
JP20150535902
公开号:
JPWO2015182474(A1)
申请日:
2015.05.21
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
炭化珪素インゴットの製造方法は、第1主面(P1)と、第1主面(P1)の反対側に位置する第2主面(P2)とを有する炭化珪素種基板(10a)を準備する工程と、第2主面(P2)上に2000℃以下の温度で金属炭化膜(11)を形成する工程と、金属炭化膜(11)が形成された炭化珪素種基板(10a)を支持部材(51a)に支持させながら、昇華法によって第1主面(P1)上に炭化珪素単結晶(100)を成長させる工程と、を備える。成長させる工程において、炭化珪素種基板(10a)の表面のうち支持部材(51a)によって支持される被支持部(SD)は、金属炭化膜(11)が形成された領域以外にある。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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