ＳｉＣエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法
- 专利权人:
- 三菱電機株式会社
- 发明人:
- 三谷 陽一郎,冨田 信之,田中 貴規,大野 彰仁
- 申请号：
- JP20160517826
- 公开号：
- JPWO2015170500(A1)
- 申请日:
- 2015.02.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本技術は、デバイスの歩留りが十分に高いＳｉＣエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。ＳｉＣエピタキシャルウエハは、炭化珪素基板と、炭化珪素基板上に形成された欠陥低減層と、欠陥低減層上に形成されたドリフト層とを備える。欠陥低減層と炭化珪素基板との界面近傍以外から発生したキャロット欠陥の数が、欠陥低減層と炭化珪素基板との界面近傍から発生したキャロット欠陥の数の４．５倍以上７．５倍以下である。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
