４ｈ−ＳｉＣ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、その製造方法、および電力変換装置
- 专利权人:
- 株式会社日立製作所
- 发明人:
- 吉元 広行,渡辺 直樹,森塚 翼,藤崎 耕司
- 申请号：
- JP20160545120
- 公开号：
- JPWO2016030963(A1)
- 申请日:
- 2014.08.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の構造によれば、裏面コレクタ電極に接するAlを含む裏面シリサイド領域の膜厚が表面シリサイド層よりも薄く，シリサイド化により侵食されるSiCが少なく，またシリサイド形成時の熱負荷も少ないために，シリサイド形成によるコレクタp+コレクタ領域中の少数キャリアライフタイムの変化が少なく通電劣化などの信頼性悪化のないデバイスを提供できる。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
