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ＳｉＣ単結晶成長装置およびＳｉＣ単結晶成長方法
- 专利权人:
- 昭和電工株式会社;株式会社デンソー
- 发明人:
- 藤川 陽平,鷹羽 秀隆
- 申请号：
- JP20150215686
- 公开号：
- JP2017088415(A)
- 申请日:
- 2015.11.02
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】長尺、大口径で、かつ高品質なＳｉＣ単結晶を形成することができるＳｉＣ単結晶成長装置及びＳｉＣ単結晶成長方法の提供。【解決手段】内部にＳｉＣ単結晶成長用原料１１を収納できる坩堝１０と、坩堝１０に対向する位置に種結晶設置部２１を有する天井部２０Ａと坩堝１０を囲む側壁２０Ｂとを有し、坩堝１０を覆う蓋体２０と、種結晶設置部２１側から坩堝１０側へ向かって延在するガイド部３０Ａと、ガイド部３０Ａを支持する支持部３０Ｂとを有するガイド部材３０と、種結晶設置部２１及び／またはガイド部材３０を回転させる回転駆動手段４０と、を備えるＳｉＣ単結晶成長装置１００。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
