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ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶の製造方法
- 专利权人:
- 新日鐵住金株式会社;トヨタ自動車株式会社
- 发明人:
- 岸田 豊,亀井 一人,大黒 寛典,土井 雅喜
- 申请号：
- JP20160553139
- 公开号：
- JPWO2016056599(A1)
- 申请日:
- 2015.10.07
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- ステップフローの方向と、結晶成長界面の近傍でＳｉＣ溶液が流れる方向とを逆向きにできるＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。坩堝は、黒鉛からなり、ＳｉＣ溶液を収容する。第１誘導加熱コイル及び第２誘導加熱コイルは、坩堝の周囲に巻かれる。第１誘導加熱コイルは、ＳｉＣ溶液の表面よりも上方に配置される。第２誘導加熱コイルは、第１誘導加熱コイルの下方に配置される。電源は、第１交番電流を第１誘導加熱コイルに供給し、第１交番電流と同じ周波数を有し、且つ、第１交番電流とは逆向きに流れる第２交番電流を第２誘導加熱コイルに供給する。坩堝が有する側壁のうちＳｉＣ溶液と接する部分において、電源が第１交番電流を第１誘導加熱コイルに供給し且つ第２交番電流を第２誘導加熱コイルに供給す
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
