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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
- 专利权人:
- 新電元工業株式会社
- 发明人:
- 中村 俊一,菅井 昭彦,井上 徹人
- 申请号：
- JP20160503038
- 公开号：
- JPWO2016084158(A1)
- 申请日:
- 2014.11.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】１回のマスク工程でチャネル領域を形成可能、かつ、短チャネル効果を起こさない程度に十分に長いチャネル長を、実用的なプロセスで、かつ、精度良く画定可能な、炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】ｎ−型エピタキシャル層１１２と、ｎ−型エピタキシャル層１１２の表面に形成されたｎ型半導体領域１１４と、ｎ型半導体領域１１４よりも深い位置に形成されたｐ型ボディ領域１１６と、エピタキシャル層１１２の表面側からｐ型ボディ領域１１６に達するように形成されたｐ−型チャネル領域１１８と、ｎ−型エピタキシャル層１１２の表面側からｐ型ボディ領域１１６に向けて形成されたｎ＋＋型ソース領域１２０と、ｎ−型エピタキシャル層１１２の表面側からｐ型ボディ領域１１６に達するように形成されたｐ＋＋型ボディ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
