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炭化珪素半導体装置およびその製造方法
- 专利权人:
- 住友電気工業株式会社
- 发明人:
- 和田 圭司,西口 太郎,日吉 透,堀井 拓,内田 光亮
- 申请号：
- JP20150560470
- 公开号：
- JPWO2016031439(A1)
- 申请日:
- 2015.07.22
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 炭化珪素エピタキシャル層（１２０）は、第１導電型を有する第１不純物領域（６１）と、第１不純物領域（６１）に接して設けられ、かつ第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２不純物領域（６２）と、第２不純物領域（６２）によって第１不純物領域（６１）から隔てられ、かつ第１導電型を有する第３不純物領域（６３）とを含む。ゲート絶縁膜（５７）は、第１不純物領域（６１）と、第２不純物領域（６２）と、第３不純物領域（６３）とに接する。ゲート絶縁膜（５７）と接する第１不純物領域（６１）の表面（１６１）には、表面（１６１）に沿って一方向に延びるとともに、一方向における幅が一方向に垂直な方向における幅の２倍以上であり、かつ、表面（１６１）からの最大深さが１０ｎｍ以下である溝部が形成されている。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
