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炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置
专利权人:
住友電気工業株式会社
发明人:
櫻田 隆,高須賀 英良,原田 真,佐々木 将,梶 直樹,仲田 博彦
申请号:
JP20150208034
公开号:
JP2017078008(A)
申请日:
2015.10.22
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
【課題】炭化珪素単結晶の成長中における温度制御の精度低下を抑制する。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は、坩堝3の内側に、固体の炭化珪素原料4と、種結晶5とを配置する工程と、坩堝3の外側にパイプ10を配置する工程と、炭化珪素原料4を昇華させることにより、種結晶5上に炭化珪素単結晶6を成長させる工程とを備える。パイプ10の内部には遮蔽部16が設けられている。遮蔽部16は、坩堝3に対面する第1面と、当該第1面と反対側の第2面とを有する。炭化珪素単結晶6を成長させる工程は、第1面が坩堝3に対面するように配置された状態で、第2面の温度を測定する工程を含む。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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