您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
紫外LED外延片及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 广东省科学院半导体研究所
- 发明人:
- 何晨光,廖乾光,陈志涛,赵维,贺龙飞,吴华龙,张康
- 申请号：
- CN202011129880.4
- 公开号：
- CN112259654A
- 申请日:
- 2020.10.20
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种紫外LED外延片及其制备方法与应用，其中，紫外LED外延片包括依次外延生长的n型半导体层、有源层、电子阻挡层和p型半导体层；电子阻挡层由第一子层和第二子层交替生长而成的超晶格结构组成，第一子层为氮化硼铝层，第二子层为氮化铝镓层。本发明提供的紫外LED外延片采用交替生长的氮化硼铝层和氮化铝镓层构成电子阻挡层，使得电子阻挡层导带的能级位置更高，提高电子的有效势垒高度，有效阻挡电子跃迁到p型半导体层；同时，降低电子阻挡层与有源区的空穴势垒高度，显著改善空穴注入有源层的注入效率；因此，能提高有源区的辐射复合速率，从而提高紫外LED的发光效率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
