杀菌消毒装置制备方法
- 专利权人:
- 孙蕾蕾
- 发明人:
- 孙蕾蕾
- 申请号：
- CN202010154462.4
- 公开号：
- CN111326633A
- 申请日:
- 2020.07.03
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种杀菌消毒装置制备方法,包括提供一衬底,在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、过渡层、发光层、第二半导体层;所述过渡层包括氮化铝层,铝镓氮层和氮化镓层,形成所述氮化铝层温度等于形成所述第一半导体层温度,形成所述铝镓氮层、氮化镓层分别采用变温生长。本发明通过在第一半导体层上形成氮化铝层且形成氮化铝层温度等于形成第一半导体层温度,先降低后续降温过程中发生的翘曲,再在氮化铝层上形成铝镓氮层和氮化镓层复合结构且形成该复合结构过程中采用变温生长,使得材料内部应力逐步得到释放,与直接降温相比降低了外延片在此过程中的翘曲,减小了裂片风险,可以有效弥补因两种不同材料产生的失配问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
