杀菌消毒LED制备工艺
- 专利权人:
- 孙蕾蕾
- 发明人:
- 孙蕾蕾
- 申请号：
- CN202010154465.8
- 公开号：
- CN111326634A
- 申请日:
- 2020.07.03
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种杀菌消毒LED制备工艺,包括提供一衬底,在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、发光层、第二半导体层;通过在第一半导体层中形成第一氮化镓层与第二氮化镓层交替层叠的复合结构,形成第一氮化镓层过程中生长速率逐渐升高,应力缓慢累积,位错、缺陷密度慢慢增大,形成第二氮化镓层过程中生长速率逐渐降低,应力逐步释放,位错、缺陷渐渐弥合,利用第一氮化镓层与第二氮化镓层两种不同的渐变式生长速率来调节内部应力、位错及缺陷,进而提高LED性能。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
