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CMP用研磨液及び研磨方法
专利权人:
日立化成株式会社
发明人:
田中 孝明,荒川 敬太,山村 奈央,吉川 茂,篠田 隆
申请号:
JP20150203066
公开号:
JP2017076694(A)
申请日:
2015.10.14
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
【課題】絶縁材料の高い研磨速度を得ることが可能であると共に研磨傷の発生を抑制することが可能なCMP用研磨液を提供する。【解決手段】酸化セリウムを含む砥粒と、下記一般式(1)で表される構造を有するグリシン系化合物と、水と、を含有し、前記砥粒が下記条件(A)及び条件(B)を満たす、絶縁材料を研磨するためのCMP用研磨液。条件(A):前記砥粒の平均粒子径が50nm以上200nm以下である。条件(B):前記砥粒のゼータ電位が正である。【選択図】なし
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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