ＣＭＰ用研磨液及び研磨方法
- 专利权人:
- 日立化成株式会社
- 发明人:
- 篠田 隆,太田 宗宏,山村 奈央,木野 愛子
- 申请号：
- JP20160532914
- 公开号：
- JPWO2016006553(A1)
- 申请日:
- 2015.07.03
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 下記条件（Ａ）及び（Ｂ）を満たす酸化セリウム粒子と、４−ピロン系化合物と、水と、を含有する、絶縁材料を研磨するためのＣＭＰ用研磨液。条件（Ａ）：前記酸化セリウム粒子の平均粒子径Ｒが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。条件（Ｂ）：前記酸化セリウム粒子が前記平均粒子径Ｒを有する真球状の粒子であるとしたときの当該真球状の粒子の比表面積Ｓ１と、ＢＥＴ法により測定される前記酸化セリウム粒子の比表面積Ｓ２とにより与えられる真球度Ｓ２／Ｓ１が３．１５以下である。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
