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炭化珪素半導体基体、炭化珪素半導体基体の結晶軸合わせ方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
- 专利权人:
- 富士電機株式会社
- 发明人:
- 河田 泰之,俵 武志
- 申请号：
- JP20160170347
- 公开号：
- JP2018037560(A)
- 申请日:
- 2016.08.31
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＳｉＣウェハの第１オリフラよりも精度の高い、炭化珪素半導体基板の結晶軸方向を示す手段を提供する。【解決手段】炭化珪素基板１おもて面に第１導電型または第２導電型の第１エピタキシャル成長層２、３が設けられ、第１エピタキシャル成長層２、３上に、炭化珪素基板１の結晶軸方向を誤差１°以内の範囲で示す目印が設けられる。この目印は、炭化珪素基板１のおもて面に第１導電型または第２導電型の第１エピタキシャル成長層２、３を形成し、第１エピタキシャル成長層２、３から積層欠陥２１を検出し、検出した積層欠陥２１から炭化珪素基板１の結晶軸方向を確認して、炭化珪素基板１上に作成される。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
