您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
半導体基体、半導体装置、半導体基体の製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
- 专利权人:
- サンケン電気株式会社;信越半導体株式会社
- 发明人:
- 鹿内 洋志,佐藤 憲,篠宮 勝,土屋 慶太郎,萩本 和徳
- 申请号：
- JP20150194840
- 公开号：
- JP2017069450(A)
- 申请日:
- 2015.09.30
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体を提供する。【解決手段】基板１２と、窒化物半導体からなり、基板１２上に設けられるバッファ層２５と、窒化物半導体からなり、バッファ層２５上に設けられるチャネル層２６とを備える。バッファ層２５は、基板１２側に設けられ、ボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域２３と、第１の領域２３上に設けられ、第１の領域２３よりボロン濃度が低く、第１の領域２３よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域２４とを含む半導体基体１０。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
