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炭化珪素半導体装置の製造方法、半導体基体の製造方法、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造装置
- 专利权人:
- 新電元工業株式会社
- 发明人:
- 福田 祐介,渡部 善之
- 申请号：
- JP20160537032
- 公开号：
- JP6076548(B1)
- 申请日:
- 2015.12.11
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 炭化珪素半導体装置（１００）の製造方法は、炭化珪素ウエハ（１０）の表面側に表面電極（３０）を形成する工程と、炭化珪素ウエハ（１０）を裏面側から薄くして、炭化珪素ウエハ（１０）を薄板化する工程と、薄板化された炭化珪素ウエハ（１０）の裏面に金属層（２１）を設ける工程と、炭化珪素ウエハ（１０）及び金属層（２１）が平坦化するように外力を加えた状態で、金属層（２１）にレーザ光を照射して炭化珪素ウエハ（１０）中の炭素と反応したカーバイド層（２０）を金属層（２１）の裏面側に形成する工程と、カーバイド層（２０）の裏面側に裏面電極（４０）を形成する工程と、を備える。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
