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炭化珪素基体の製造方法
- 专利权人:
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 发明人:
- 河田 泰之,望月 和浩,紀 世陽,小杉 亮治,纐纈 英典
- 申请号：
- JP20160170353
- 公开号：
- JP2018037561(A)
- 申请日:
- 2016.08.31
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】炭化珪素基体の内部に空洞を形成させること。【解決手段】炭化珪素基体１０に複数のトレンチ５を、複数のトレンチの長手方向が炭化珪素基体１０の結晶軸方向＜１１−２０＞から、第１オリフラの形成保証精度に基づく所定角度θ以上ずらした方向になるように形成する。つぎに、エッチング効果のあるガスと炭化珪素膜の原料となるガスとを含むガス雰囲気下での熱処理によって、炭化珪素基体１０の一方の主面側に炭化珪素膜を成膜することにより複数のトレンチ５の各開口部を塞ぐとともに、複数のトレンチ５の側壁をエッチングして複数のトレンチ５を連結させて一体化させることにより炭化珪素基体１０の内部に略平板形状の空洞を形成する。【選択図】図６
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
