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ウェーハの研磨方法及び研磨装置
- 专利权人:
- 信越半導体株式会社
- 发明人:
- 佐藤 一弥,橋本 浩昌,上▲濱▼ 直紀
- 申请号：
- JP20150218440
- 公开号：
- JP2017087328(A)
- 申请日:
- 2015.11.06
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】テンプレートのポケットデプスの数値変動を起因とするウェーハのフラットネスの変動を調整することができるウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。【解決手段】ウェーハの研磨方法であって、アンローディング工程の後であって、次に研磨するウェーハを保持するローディング工程の前に、研磨が終了したウェーハを取り出した後のテンプレートの凹部の深さＰＤｔを測定する測定工程と、測定した凹部の深さＰＤｔと、研磨に使用する前のテンプレートの凹部の深さＰＤ０との差ΔＰＤを算出する算出工程と、算出した差ΔＰＤに従い、次に研磨するウェーハの研磨条件を調整する調整工程とを有することを特徴とするウェーハの研磨方法。【選択図】 図４
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
