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窒化ケイ素の選択的な除去のためのCMP組成物及び方法
专利权人:
キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
发明人:
ドミトリー ディネガ,サイラム シェカール,ジア レンホーァ,ダニエル マテジャ
申请号:
JP20160536711
公开号:
JP2017505532(A)
申请日:
2014.12.04
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
本発明は、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素を含む基材を研磨するための化学機械研磨組成物及び方法を提供し、それは、パターン化されたウェハー上の酸化ケイ素(例えばPETEOS)に対してSiNの選択的な除去を提供する。1つの実施態様において、CMP組成物は、CMP組成物によりSiN及び酸化ケイ素を含む基材の表面を摩耗させて、そこから少なくとも幾らかのSiNを除去することを含む。CMP組成物は、水性キャリア中に懸濁し、かつ、ペンダント4級化窒素‐ヘテロ芳香族部分を有するカチオン性ポリマーを含む粒状研削剤(例えばセリア)を含み、本質的にこれからなり、又はこれからなり、組成物のpHは3より高い。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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