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窒化チタン及びチタン／窒化チタン除去の抑制に関するＣＭＰ方法
- 专利权人:
- キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
- 发明人:
- ホゥイ−ファン ホウ,ウィリアム ワード,ミーン−チー イエー,チー−ピン ツァイ
- 申请号：
- JP20160550260
- 公开号：
- JP2017510977(A)
- 申请日:
- 2015.02.06
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 窒化チタン（ＴｉＮ）又はチタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ）バリア層の上に配された金属層を除去する化学機械研磨（ＣＭＰ）方法が、本開示に記載される。方法は、酸性ＣＭＰ組成物により金属層を摩耗させて、下にあるＴｉＮ又はＴｉ／ＴｉＮ層を露出させることを含み、ＴｉＮ又はＴｉ／Ｎ層は、界面活性剤阻害剤の存在のために低い速度にて研磨される。酸性ＣＭＰ組成物は、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される界面活性剤を含む液体キャリア中に懸濁された粒状研削材（例えば、シリカ、アルミナ）を含む。【選択図】図５
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
