ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置
- 专利权人:
- 昭和電工株式会社
- 发明人:
- 乘松 潤,渥美 広範
- 申请号：
- JP20150140677
- 公开号：
- JP2017022320(A)
- 申请日:
- 2015.07.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＳｉＣウェハに対して成膜等の加工処理を行う際に、コーティングされたＴａＣ膜が剥がれにくい構造を有するウェハ支持台を提供する。【解決手段】ＳｉＣウェハＷを載置するための、ＴａＣコートされたウェハ支持台２０であって、一方の主面２３ａのうちＳｉＣウェハＷを載置する部分にザグリを有し、ザグリの内面２３ｂが、加熱処理を行った際のＳｉＣウェハＷの反った形状に合わせて湾曲した曲面をなしており、側面２３ｃとザグリの内面２３ｂとの間に、両面を滑らかに接続するＲ部２３ｄが設けられている。【選択図】図３
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