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一种单分散强磁性免疫纳米微球及其制备方法
专利权人:
杭州卓立纳米科技有限公司
发明人:
杨磊
申请号:
CN201610392204.3
公开号:
CN105869813B
申请日:
2016.06.03
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明公开了一种单分散强磁性免疫纳米微球,所述单分散强磁性免疫纳米微球的粒径为5nm‑5um。本发明还公开了一种单分散强磁性免疫纳米微球的制备方法,包括以下步骤:步骤一、四氧化三铁纳米颗粒的制备;步骤二、单分散硅羟基磁性纳米微球的制备;步骤三、单分散氨基化磁性纳米微球的制备;步骤四、单分散强磁性免疫纳米微球的制备。本发明的单分散强磁性免疫纳米微球及其制备方法具有较好的超顺磁性,磁含量高、分散性好、无团聚现象,形貌规则标准,粒径统一可控,易功能化修饰等优点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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