ＧａＮ垂直微小共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のための方法
- 专利权人:
- イェール ユニバーシティーＹａｌｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
- 发明人:
- ハン，ジャン,チャン，チェン
- 申请号：
- JP20170517111
- 公开号：
- JP2018502436(A)
- 申请日:
- 2015.09.30
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 高度に均一でかつ高度に多孔性の100nm未満の孔サイズを有する窒化ガリウム層を形成するための構造および方法が記載される。濃縮された硝酸中の低いバイアス電圧での重度にドーピングされた窒化ガリウムの電気化学的エッチングが、多孔質窒化ガリウムを形成するために使用される。該多孔質層は、VCSELおよびLEDなどの集積化光デバイスのための反射性構造に使用され得る。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
