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半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法
- 专利权人:
- 学校法人 名城大学;スタンレー電気株式会社
- 发明人:
- 竹内 哲也,赤▲崎▼ 勇,岩谷 素顕,赤木 孝信
- 申请号：
- JP20160144041
- 公开号：
- JP2018014444(A)
- 申请日:
- 2016.07.22
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】転位密度が低い半導体多層膜反射鏡の製造方法、並びに高出力で信頼性の高い垂直共振器型発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】Ｉｎ（インジウム）を組成に含む第１の窒化物半導体膜１５Ａと、第２の窒化物半導体膜と、を交互に繰り返し成長して半導体多層膜反射鏡を形成する積層ステップを有し、第１の窒化物半導体膜は、雰囲気ガスとして不活性ガスを用いて成長され、積層ステップは、第１の窒化物半導体膜の成長終了後であって第２の窒化物半導体膜の成長開始前に、水素ガスを供給して第１の窒化物半導体膜の表面を水素雰囲気中に保持する水素処理ステップを有する。【選択図】図３
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
