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垂直共振面発光レーザ
- 专利权人:
- 株式会社村田製作所
- 发明人:
- 岩田 圭司,松原 一平,粉奈 孝行,渡邊 博,柳ヶ瀬 雅司
- 申请号：
- JP20140554181
- 公开号：
- JPWO2014103428(A1)
- 申请日:
- 2013.08.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 半絶縁性半導体からなるベース基板（１１）と、ベース基板（１１）の表面に形成された、Ｎ型半導体コンタクト層（２１）、Ｎ型ＤＢＲ層（２２）、活性層（４０）、Ｐ型半導体ＤＢＲ層（２３）、Ｐ型半導体コンタクト層（２４）をそれぞれ含む発光領域多層部と、Ｐ型半導体コンタクト層（２４）に接続されているアノード用電極（９２１）と、ベース基板（１１）の表面側に形成された、Ｎ型半導体コンタクト層（２１）に接続されているカソード用電極（９１１）とを備える。Ｎ型ＤＢＲ層（２２）は、組成の異なる層を１５ペア以上積層されている。これにより、コストを抑えつつ、ベース基板に起因する結晶欠落による不良の発生を抑制できる垂直共振面発光レーザを提供する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
