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垂直共振器型発光素子
- 专利权人:
- 学校法人 名城大学;スタンレー電気株式会社
- 发明人:
- 竹内 哲也,赤▲崎▼ 勇,岩谷 素顕,池山 和希,岩山 章,赤木 孝信,中田 圭祐
- 申请号：
- JP20150226744
- 公开号：
- JP2017098328(A)
- 申请日:
- 2015.11.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】高反射率な反射鏡を有し、高効率での電流注入が可能な垂直共振器型発光素子を提供する。【解決手段】複数の半導体層からなる第１の多層膜１３Ａと、第１の多層膜上に形成され、第１の導電型を示す不純物が第１の多層膜よりも多くドープされた複数の半導体層からなる第２の多層膜１３Ｂと、を含む第１の反射鏡１３と、第２の多層膜上に形成され、第１の導電型を有する第１の半導体層１４Ａと、第１の半導体層上に形成された活性層１４Ｂと、活性層上に形成され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有する第２の半導体層１４Ｃと、第２の半導体層上において第１の反射鏡に対向して配置された第２の反射鏡１５と、第２の多層膜に接触された電極１６と、を有する。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
