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遷移金属を含む膜をエッチングする方法及び基板処理装置
- 专利权人:
- 東京エレクトロン株式会社;株式会社 東北テクノアーチ
- 发明人:
- 美山 遼,寒川 誠二
- 申请号：
- JP20150211812
- 公开号：
- JP2017084966(A)
- 申请日:
- 2015.10.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】遷移金属を含む膜を低温でエッチングし、且つ、エッチング速度やスループットを従来に比べ向上させることが可能な遷移金属を含む膜をエッチングする方法を提供する。【解決手段】基板処理装置を用いて遷移金属を含む膜を異方的にエッチングする方法であって、該方法は、前記プラズマ生成室において酸素を含有する第１のガスのプラズマを発生させることにより、前記膜を有する被処理体を収容した前記処理室に、酸素原子の中性粒子を供給する工程と、前記処理室に第２のガスを供給して、前記酸素原子の中性粒子を供給する工程において酸化された遷移金属を錯化させる工程と、前記プラズマ生成室において希ガスのプラズマを生成させることにより、前記処理室に希ガス原子の中性粒子を供給する工程と、を含み、前記第２のガスは、
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
