金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造方法、金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜及び金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造装置
- 专利权人:
- 宇部興産株式会社
- 发明人:
- 白井 昌志,二瓶 央
- 申请号：
- JP20160562355
- 公开号：
- JPWO2016088500(A1)
- 申请日:
- 2015.11.04
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜を低温で成膜することができる方法及び装置を提供する。一般式（１）【化１】（式中、複数のＲは、同一又は異なっていても良く、それぞれ、水素原子、炭素原子数１〜５の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、若しくは炭素原子数１〜９のトリアルキルシリル基を示す。なお、複数のＲは、互いに結合して環を形成していても良い。）で示されるグアニジン化合物を含む窒素源と、金属源又は半金属源とを成膜対象物上に供給して金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜を成膜する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
