薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成用组合物
- 专利权人:
- 日产化学工业株式会社
- 发明人:
- 前田真一,岸冈高广
- 申请号：
- CN200980147544.8
- 公开号：
- CN102227814B
- 申请日:
- 2009.11.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 段承恩`田欣
- 摘要：
- 本发明的课题是提供在使用栅极绝缘膜制作有机晶体管时，甚至连经过利用紫外线照射等进行配线等其它工序之后的电气特性都考虑到了的新的栅极绝缘膜形成用组合物。作为解决本发明问题的方法是提供一种薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成用组合物，包含下述成分(i)和成分(ii)：成分(i)：包含具有下述重复单元的低聚物或聚合物，所述重复单元具有由三嗪三酮环的氮原子介由羟基亚烷基与其它三嗪三酮环的氮原子结合而成的结构；成分(ii)：1分子中具有2个以上封闭异氰酸酯基的化合物。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
