金刚石薄膜的光敏晶体管的制备方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 王林军,张弋,黄健,方谦,曾庆锴,张旭,夏义本
- 申请号：
- CN200910196564.6
- 公开号：
- CN101692468B
- 申请日:
- 2009.09.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
