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多晶硅薄膜的制备方法，用该方法制备的多晶硅和薄膜晶体管
- 专利权人:
- 香港科技大学
- 发明人:
- 王文,郭海成,孟志国
- 申请号：
- CN200610139877.4
- 公开号：
- CN1975989B
- 申请日:
- 2006.09.20
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 王忠忠
- 摘要：
- 非晶硅经过金属诱导横向晶化后可形成器件级多晶硅。本发明所讲述的是使用固体激光退火的金属锈导晶化多晶硅薄膜(包括纵向的和横向的晶化方向)制备半导体器件的技术。金属诱导多晶硅薄膜是引入金属镍的非晶硅薄膜经炉管退火而成。为提高该种多晶硅薄膜的质量，使用固体激光对上述多晶硅薄膜进行退火处理用来降低薄膜结构缺陷和金属镍元素对薄膜性质的影响，但是退火过程中，不改变金属诱导多晶硅的主体晶粒结构。器件中的掺杂活化同样采用固体激光。与准分子激光器相比，固体激光器相对便宜而且操作简单，并适合于工业化生产。该种多晶硅材料具有广泛的应用领域，如传感器，电子器件，平板显示器和三维立体电路等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
