一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 王林军,黄健,赖建明,唐可,管玉兰,夏义本
- 申请号：
- CN200810040004.7
- 公开号：
- CN100593842C
- 申请日:
- 2008.07.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p型纳米晶金刚石薄膜；再采用离子束溅射仪及光刻掩模技术在p型纳米晶金刚石薄膜表面制作场效应晶体管的源、漏和栅电极。本发明不需抛光处理就可以直接进行器件制作，具有制作工艺简便和成本较低，有利于促进金刚石基器件的大规模应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
