金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 王林军,方谦,黄健,肖琦,王俊,张弋,夏义本
- 申请号：
- CN200910048331.1
- 公开号：
- CN101527331A
- 申请日:
- 2009.03.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2009
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种基于P型纳米金刚石薄膜/[100]定向金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法，属场效应光电探测器制造工艺技术领域。本发明的特点是：采用了肖特基场效应结构，并利用P型纳米金刚石薄膜作为表面P型沟道层；纳米金刚石薄膜的P型不是通过掺杂其他元素获得，而是采用氢等离子刻蚀的方法获得H终端P型纳米金刚石层。本发明的另一个特点是采用了除去传统的硅衬底的工艺，使有利于探测器在高温、高频、大功率领域及恶劣环境中的应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
