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一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法
- 专利权人:
- 天津大学
- 发明人:
- 谢生,罗学涛,毛陆虹
- 申请号：
- CN201611025877.1
- 公开号：
- CN106529059A
- 申请日:
- 2016.11.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 李林娟
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于标准CMOS工艺双光电探测器的建模方法，所述建模方法基于遗传算法，所述建模方法包括以下步骤：在一定辐射强度的光功率和反向偏置电压下，对双光电探测器的散射参数进行测量；在考虑器件光生载流子输运时间及物理结构的基础上，建立等效电路模型，并基于遗传算法提取其模型参数；将等效电路的散射参数特性曲线与实际测试数据进行比对，验证模型的精确性。本发明采用遗传算法对光电探测器的S21和S22散射参数进行拟合，基于评价函数提取模型参数，使其能够准确地反映实际双光电探测器的特性。本发明所述建模方法不需要大量的测试数据，可有效降低不精确测试数据带来的误差，保证所建模型的精确度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
