一种n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法
- 专利权人:
- 上海大学
- 发明人:
- 王林军,黄健,唐可,赖建明,管玉兰,夏义本
- 申请号：
- CN200810040045.6
- 公开号：
- CN101303973A
- 申请日:
- 2008.07.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2008
- 代理人:
- 顾勇华
- 摘要：
- 本发明涉及一种n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；自支撑金刚石薄膜p型化处理；用磁控溅射仪及高纯ZnO陶瓷溅射靶材，在氩气气氛中溅射，即得n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结。本发明不需抛光处理就可以直接进行ZnO/金刚石异质结的生长，简化了制作工艺，降低了成本，有利于促进ZnO/金刚石异质结器件的大规模应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
