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用于成像系统的薄膜晶体管
- 专利权人:
- 通用电气公司
- 发明人:
- D·阿尔巴格利,W·A·亨尼西,A·J·库图尔,C·科拉佐－达维拉
- 申请号：
- CN200510133887.2
- 公开号：
- CN1795824A
- 申请日:
- 2005.12.22
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 刘红`梁永
- 摘要：
- 一种环形薄膜晶体管60，包括：布置在半导体材料层66之上的环形源电极62；在环形源电极62内布置在半导体材料层66之上的漏电极64；以及位于漏电极64和环形源电极64之间的有源沟道76，其中有源沟道76的一个表面包括暴露的半导体材料。而且，一种蛇形薄膜晶体管78，包括：布置在半导体材料层82之上的蛇形源电极80；布置在半导体材料层82上和基本位于由蛇形源电极80形成的凹槽之中的漏电极84，其中漏电极84基本符合该凹槽；以及位于漏电极84和蛇形源电极80之间的有源沟道98，其中有源沟道98具有基本恒定的长度，其中有源沟道98的一个表面包括暴露的半导体材料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
