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ACTIONNEUR À DURETÉ VARIABLE
专利权人:
オリンパス株式会社;OLYMPUS CORPORATION
发明人:
MORISHIMA, Tetsuya,森島 哲矢,森島 哲矢
申请号:
JPJP2015/065211
公开号:
WO2016/189683A1
申请日:
2015.05.27
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要:
A hardness-variable actuator (10) mounted to a flexible member and capable of presenting different hardness to the flexible member is provided with: a shape storage member (20), the phase of which can change between a first phase and a second phase; and an inducing member (30) for causing a change of phase between the first phase and the second phase in the shape storage member (20). When in the first phase, the shape storage member (20) assumes a soft state in which the shape storage member (20) can readily deform in accordance with an external force, and consequently presents a relatively low hardness to the flexible member. When in the second phase, the shape storage member (20) assumes a rigid state in which the shape storage member (20) exhibits a tendency to assume a stored shape stored in advance in opposition to an external force, and consequently presents a relatively high hardness to the flexible member. The hardness-variable actuator (10) is further provided with a hardness calculating means (60, 84) for calculating the hardness of the hardness-variable actuator (10).La présente invention concerne un actionneur à dureté variable (10) monté sur un élément flexible et capable de présenter une dureté différente par rapport à l'élément flexible, qui est pourvu : d'un élément à mémoire de forme (20) dont la phase peut passer d'une première phase à une seconde phase et d'un élément d'induction (30) destiné à provoquer un changement de phase entre la première et la seconde phase dans l'élément à mémoire de forme (20). Lorsqu'il se trouve dans la première phase, l'élément à mémoire de forme (20) adopte un état souple dans lequel l'élément à mémoire de forme (20) peut facilement se déformer en fonction d'une force externe et, par conséquent, présente une dureté relativement faible par rapport à l'élément flexible. Lorsque dans la seconde phase, l'élément à mémoire de forme (20) adopte un état rigide, dans lequel l'élément à mémoire de forme (20) présente une tenda
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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